作為先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商的瑞薩電子，宣布推出兩款低功耗SRAM（高級(jí)LP SRAM），主要是用于提供增強(qiáng)的可靠性和更長的備份電池壽命的應(yīng)用，如工廠自動(dòng)化（FA），工業(yè)設(shè)備，以及智能電網(wǎng)。采用110納米（nm）工藝制造，新RMLV1616A系列16兆位（MB）的設(shè)備和RMWV3216A系列32 MB裝置采用創(chuàng)新的存儲(chǔ)單元技術(shù)，大幅提高了可靠性，并有助于延長電池的運(yùn)行。
 
目前隨著需求高安全性跟高可靠性的要求，瑞薩順勢(shì)而出的高度可靠的SRAM，可以用來存儲(chǔ)重要的信息，比如系統(tǒng)程序及金融交易數(shù)據(jù)的需求，軟錯(cuò)誤所引起的α射線和宇宙中子射線的預(yù)防是一個(gè)顯著的問題。典型的措施來解決這個(gè)問題包括嵌入糾錯(cuò)碼（ECC）電路中的SRAM或用戶的系統(tǒng)糾正可能發(fā)生的任何軟錯(cuò)誤。然而有限制，對(duì)ECC電路的錯(cuò)誤糾正能力。例如，一些不能糾正影響多個(gè)位同時(shí)出錯(cuò)。
 
 
瑞薩的高級(jí)LP SRAM器件具有在他們的記憶細(xì)胞獨(dú)家技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)軟錯(cuò)誤性（注2）超過500倍，傳統(tǒng)的全CMOS存儲(chǔ)單元（注3）。這使得希望用于要求高可靠性，包括FA，測量設(shè)備，智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備和工業(yè)設(shè)備，除了許多其他領(lǐng)域，如消費(fèi)設(shè)備，辦公設(shè)備，和通信設(shè)備領(lǐng)域使用。
 
市場上最大容量64Mb低功耗SRAM產(chǎn)品R1WV6416R系列以及32Mb尺寸更小的SRAM產(chǎn)品由瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出，  
 
目前瑞薩這兩款新系列采用了專有的存儲(chǔ)單元技術(shù)實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)更小芯片尺寸和無軟錯(cuò)誤的先進(jìn)LPSRAM產(chǎn)品的陣容?？梢詽M足消費(fèi)類產(chǎn)品：電子詞典；工業(yè)設(shè)備：自動(dòng)販賣機(jī)、POS終端、自動(dòng)檢票門；辦公設(shè)備：多功能復(fù)印機(jī)；汽車系統(tǒng)：汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；通信系統(tǒng)：電話交換機(jī)、路由器等等。
 
這兩款產(chǎn)品主要是在一個(gè)封裝中集成了兩個(gè)小型32 Mb先進(jìn)LPSRAM芯片的堆棧，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的容量，可以滿足需要提高性能系統(tǒng)的大容量SRAM同時(shí)也滿足低功耗的需求，由于芯片的體積進(jìn)一步更小，有利于對(duì)減少PCB板空間的設(shè)計(jì)。瑞薩為了滿足不同的封裝需求，采用了幾種不同的封裝：TSOP I（48引腳）、μTSOP（52引腳），F(xiàn)BGA（48焊球）封裝。TSOP I和μTSOP封裝等，有利于客戶在使用原先的布局設(shè)計(jì)時(shí)增加存儲(chǔ)容量。再者采用一種堆疊電容器*2 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，這是DRAM元件中證明成功的一種方法。它實(shí)際上可以消除alpha輻射或高能量中子輻射所引起的軟錯(cuò)誤，這可能是超精細(xì)SRAM存在的一個(gè)問題。此外，這種存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)還可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的問題，它可能產(chǎn)生寄生電流流動(dòng)并導(dǎo)致鎖定。消除軟錯(cuò)誤和鎖定可以實(shí)現(xiàn)卓越的可靠性。