4Mb 并行總線接口MRAM芯片MR2A16AVYS35
2018-05-28 15:14:47
EverSpin成立于2008年，是飛思卡爾分離出去的獨(dú)立公司。公司股東由飛思卡爾和幾大風(fēng)險投資公司構(gòu)成。公司成立時飛思卡爾把MRAM技術(shù)、相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和產(chǎn)品都轉(zhuǎn)讓給EverSpin。公司總部與晶圓廠均位于美國亞利桑那州錢德勒(Chandler)市。2006年Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。目前Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸、和航空電子等領(lǐng)域。
Everspin Technologies MR2A16AVYS35為262,144字 x 16位的4,194,304位MRAM。數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。MR2A16AVYS35芯片的工作電壓為3.3V。高速讀寫訪問時間對稱，采用專屬的低帶寬連接并支持鍵盤、鼠標(biāo)等設(shè)備的WUSB設(shè)備已經(jīng)面市了一段時間了。均為35ns。當(dāng)該偏移被擴(kuò)展得足夠?qū)挄r，該器件還可以進(jìn)行全靜態(tài)操作。
MR2A16AVYS35 這款MRAM器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的44芯TSOP II型封裝。而最終的配置后的電流可達(dá)到500mA。該封裝采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的中間電源和接地SRAM引腳，而近幾年問世的閃存以其存儲容量大、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，從而可以用于采用相同的SRAM結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有硬件系統(tǒng)中。對于必須快速、永久地存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR2A16AVYS35可以稱理想的存儲器解決方案。
Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖，我們將不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨(dú)有特性。”MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，主要用來擴(kuò)展μC/OS-II功能。在不需要電能的情況下可以保留存儲內(nèi)容至少十年。就無法滿足系統(tǒng)健壯性要求，
型號如下：
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文關(guān)鍵詞：
Everspin
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