FRAM只是一種像ram一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲器映射。它為最終用戶創(chuàng)造了在底層對FRAM進行編程以根據(jù)他們的個人喜好進行定制的機會。獨立的FRAM允許設(shè)計人員發(fā)揮創(chuàng)造力，在廣泛的設(shè)計中探索和使用FRAM。FRAM具有非揮發(fā)性、高速寫入、高耐力以及低功耗的特性，適合應(yīng)用在辦公自動化設(shè)備、通訊設(shè)備、音響、影音設(shè)備、測量分析裝置、娛樂、固態(tài)硬盤、自動柜員機、FA等領(lǐng)域。富士通代理介紹一款I(lǐng)2C接口的鐵電存儲器。
 
■描述
MB85RC16V是一款FRAM芯片，采用2,048字×8位配置，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85RC16V能夠在不使用數(shù)據(jù)備份電池的情況下保留數(shù)據(jù)。
 
MB85RC16V中使用的存儲單元每字節(jié)至少具有10¹²次讀/寫操作耐久性，與其他非易失性存儲產(chǎn)品支持的讀和寫操作數(shù)量相比，這是一個顯著的改進。MB85RC16V可以提供以1字節(jié)為單位的寫入，因為不像Flash存儲器和E²PROM需要很長的寫入時間。因此不需要像寫忙狀態(tài)那樣的寫完成等待序列。
 
■特點
•位配置：2,048字×8位
•兩線串行接口：完全由兩個端口控制：串行時鐘（SCL）和串行數(shù)據(jù)（SDA）。
•工作頻率：1MHz（最大）
•讀/寫耐久性：10¹²次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過200年(+35℃)
•工作電源電壓：3.0V至5.5V
•低功耗：工作電源電流90μA(Typ@1MHz)待機電流5μA(Typ)
•工作環(huán)境溫度范圍：−40℃至+85℃
•封裝：8針塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
■I2C（內(nèi)部集成電路）
MB85RC16V具有兩線串行接口；I2C總線，并作為從設(shè)備運行。
 
I2C總線定義了“主”和“從”設(shè)備的通信角色，主方擁有發(fā)起控制的權(quán)限。此外，I2C總線連接是可能的，其中單個主設(shè)備連接到派對線路配置中的多個從設(shè)備。
 
■I2C通信協(xié)議
I2C總線僅通過兩條線提供通信，因此，當(dāng)SCL為“L”電平時，SDA輸入應(yīng)改變。但是，在啟動和停止通信序列時，SDA允許更改，而SCL為“H”電平。
 
•開始條件
要通過I2C總線啟動讀或?qū)懖僮鳎堅赟CL輸入為“H”電平時將SDA輸入從“H”電平更改為“L”電平。
 
•停止條件
要停止I2C總線通信，請在SCL輸入為“H”電平時將SDA輸入從“L”電平更改為“H”電平。在讀取操作中，輸入停止條件完成讀取并進入待機狀態(tài)。在寫入操作中，輸入停止條件完成重寫數(shù)據(jù)的輸入并進入待機狀態(tài)。