EMD3D256M DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM是一種容量為256Mb（32Mb x 8、16Mb x 16）DDR3的非易失性存儲器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能夠以高達(dá) 1333MT/Sec/Pin的速率進(jìn)行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能，包括設(shè)備端接 (ODT) 和內(nèi)部ZQ校準(zhǔn)，但具有數(shù)據(jù)持久性和極高的寫入周期耐久性的優(yōu)勢。采用Spin-Torque MRAM 技術(shù)，無需單元刷新，極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計并降低了開銷。
 
Everspin自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步，輸入鎖存在時鐘交叉點(diǎn)。I/O與一對雙向選通脈沖（DQS、DQS）同步。采用 RAS/CAS 多路復(fù)用方案，工作電壓為 1.5V。更多產(chǎn)品詳情請洽英尚國際。
 
DDR3 STT-MRAM是一種高速自旋扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲器。每當(dāng)設(shè)備因任何原因斷電時，關(guān)閉/預(yù)充電銀行中的所有數(shù)據(jù)都會保留在內(nèi)存中。在某些情況下，命令時間會有所不同。DDR3 標(biāo)準(zhǔn)適用于高于256Mb的密度，從而導(dǎo)致尋址和頁面大小不同。


本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,Everspin

上一篇文章：雙電源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。