nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。由于溫度和過多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
 
    Everspin代理英尚微提供的MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。nvSRAM是通過將標(biāo)準(zhǔn)的6晶體管SRAM與每個(gè)單元中的非易失性EEPROM存儲(chǔ)元件相結(jié)合來構(gòu)建的。單元的總復(fù)雜性為12個(gè)晶體管。Everspin MRAM是使用一個(gè)簡(jiǎn)單得多的1晶體管、1磁性隧道結(jié)單元構(gòu)建的。簡(jiǎn)單的Everspin MRAM單元提高了制造效率和可靠性。
 
    nvSRAM的可靠性不僅取決于存儲(chǔ)器芯片，還取決于外部VCAP電容器的質(zhì)量。必須仔細(xì)選擇電容器，以確?？煽康墓β逝判?。
 
    MRAM將磁性隧道結(jié)技術(shù)用于非易失性存儲(chǔ)器。數(shù)據(jù)在高溫下不會(huì)泄漏，并且在該技術(shù)中沒有限制讀取、寫入或電源循環(huán)次數(shù)的磨損機(jī)制。125℃條件下的數(shù)據(jù)保留期優(yōu)于20年。
 
    使用MRAM的每次寫入都是即時(shí)非易失性的，至少持續(xù)20年。不存在從易失性存儲(chǔ)器單元到非易失性存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)傳輸，也不存在外部電容器或備用電池。消除了外部組件、高度可靠的數(shù)據(jù)保留和35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時(shí)間，使Everspin MRAM成為在不影響系統(tǒng)性能的情況下取代nvSRAM的可行候選者。
 

本文關(guān)鍵詞：MRAM,nvSRAM
 

上一篇文章：替換TMP103的國(guó)產(chǎn)I2C/SMBus接口數(shù)字溫度傳感器IC

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。